EUV光刻前的最后疯狂：DDR5内存狂飙 单条1TB不是梦

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随着制程工艺的不断进步，DRAM内存芯片也遇到了与CPU/GPU相似的微缩难题。解决这个问题的方法是使用EUV光刻机，但由于设备成本过高，目前还在尽可能利用DUV工艺。据悉，DDR5内存有望实现单条1TB的容量。 美光公司，作为首家推出24Gb核心DDR5内存的企业，近日再创新纪录，推出了32Gb核心的DDR5内存颗粒。这种内存颗粒采用的是比1α工艺更先进的1β工艺，这也是美光最后的非EUV工艺。未来，如果不采用EUV工艺，美光将无法继续微缩。 虽然美光并未透露32Gb核心内存颗粒的具体速度，但其最大优势在于可以堆栈出单条1TB的内存条，只需32个8-Hi堆栈即可，而现有的24Gb核心无法实现这样的大容量。 然而，美光实际上并不打算推出如此大容量的内存条。明年开始量产32Gb核心后，首先会推出单条128GB、192GB和256GB的内存条，而512GB和1TB的内存条并未列入路线图，预计在2026年之前都不会推出。 此外，美光最近推出了HBM3 Gen2，容量达到了24GB，带宽为1.2TB/s。未来还将推出36GB的版本，2026年之后将推出下一代HBM，容量将达到36GB至64GB，带宽将达到1.5TB/s至2TB/s。在显存GDDR路线上，预计2025年将推出GDDR7，频率为32Gbps，核心容量为16-24Gb，带宽将超过128GB/s。

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